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중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)의 기술 추격에 따른 삼성전자의 주가 하락세는 과도하다는 분석이 나왔다.
김동원 KB증권 연구원은 15일 보고서에서 "삼성전자와 CXMT의 디램(DRAM) 공정 기술 격차는 양산 시점을 기준으로 5~7년에 달한다"며 "중국의 기술 격차 축소 가능성은 제한적"이라고 진단했다.
보고서에 따르면 CXMT의 주력 공정인 1z의 경우 삼성전자가 이미 2019년 9월 양산에 성공한 기술이다.
CXMT가 지난 9월 양산에 착수한 1a 공정 역시 삼성전자가 2021년 10월부터 양산한 기술로 약 5년의 시차가 존재한다.
최근 CXMT가 공개한 4F² 구조 DRAM에 대해서도 상업적 경쟁력과는 별개라고 평가했다.
김 연구원은 "삼성전자는 이미 2023년 4F² 기반 수직 채널 트랜지스터 구현 기술을 발표한 바 있으나 현재 관련 시장이 형성되지 않은 상태"라며 "신기술 상용화를 위해서는 수율, 원가 경쟁력, 대량 양산 능력 등에 대한 검증이 선행돼야 한다"고 설명했다.
메모리 반도체 경쟁력은 단순 신공정 개발이 아닌 대량 양산과 수율 확보, 고객사 인증에 의해 결정되는 만큼 삼성전자의 진입 장벽이 여전히 높다는 분석이다.
김 연구원은 "10월 들어 중국의 추격 우려가 과도하게 반영되며 삼성전자 주가가 16% 하락해 주가수익비율(PER) 3배 수준의 역사적 저평가 국면에 진입했다"며 "향후 배당 확대와 자사주 소각 등 주주환원 정책이 기대되는 만큼 현재 주가 조정은 비중 확대의 기회"라고 덧붙였다.
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