삼성전자 평택캠퍼스 팹 3층 건설위해 용적률 상향 추진

삼성전자 평택캠퍼스 내 산업용지의 용적률 상향을 위한 행정절차가 진행되고 있다.

19일 연합뉴스에 따르면 경기도는 최근 평택시로부터 삼성전자 산업단지계획 변경안을 제출받아 검토하고 있다.

'산단계획 변경'은 도지사가 검토한 뒤 국토교통부 산업입지정책심의를 거쳐 최종 승인한다.

변경안에는 평택캠퍼스 내 산업용지(A1-1)의 용적률을 종전 350%에서 490%로 높이는 내용이 담겼다.

이는 2023년 7월 정부가 삼성전자 평택 반도체 사업장을 '국가첨단전략산업 특화단지'로 지정한 데 따른 후속조치 차원이기도 하다.

특화단지에는 용적률을 1.4배까지 상향할 수 있는 특례가 적용된다.

현재 평택캠퍼스 A1-1 부지에는 2030년 완공을 목표로 2기의 팹(P5-1·2)이 건설되고 있다. 삼성전자는 용적률이 상향되면 이들 팹을 기존의 2층이 아닌 3층으로 건설할 계획이다.

2층짜리 팹에 반도체를 생산하는 클린룸이 4개 설치되는 것을 고려하면 3층짜리 팹에는 6개의 클린룸 설치가 가능해 생산량도 약 1.5배가 될 것으로 추산된다.

평택시 관계자는 "용적률 상향은 정부가 국가첨단전략 기술을 보유한 기업에 경쟁력 제고를 위해 부여하는 특례"라며 "이번 산단계획 변경안은 이변이 없는 한 10월 중 국토부 심의를 거쳐 11월이면 마무리될 것"이라고 말했다.

삼성전자 평택캠퍼스는 평택시 고덕동 일원 390만㎡에 이르는 삼성전자 단일 산단으로, 현재 3기의 팹이 가동되고 있다.